产品名称：MOS管SL11N65CD

生产商：澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor

产品类型：N沟道

电性能参数：

漏源电压（Vdss）： 650V

连续漏极电流（Id）： 11A

功率（Pd）： 87W

导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 318mΩ @ 10V, 4.0A

阈值电压（Vgs(th)@Id）： 4.5V @ 0.8mA

封装规格：

封装类型： TO-252

产品特性与应用：

MOS管SL11N65CD是一款中高压N沟道MOS场效应管，由澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor公司生产。其中高电压、大电流和适中功率特性使其适用于各种电源、逆变器和功率放大器等应用。

主要特性：

中高电压承受能力： 漏源电压（Vdss）为650V，适用于中高压电源开关电路设计。

大电流承受能力： 连续漏极电流（Id）为11A，适用于大电流应用场景。

适中功率： 功率（Pd）为87W，适用于中等功率的电子应用。

相对低的导通电阻： 在10V电压和4.0A电流下，导通电阻为318mΩ，有助于降低功耗和提高效率。

合适的阈值电压： 阈值电压（Vgs(th)@Id）为4.5V @ 0.8mA，确保稳定的电路控制。

封装优势：

TO-252封装具有紧凑、易于安装和散热性能良好的特点，适用于一般功率电子设备的设计。

应用领域：

MOS管SL11N65CD广泛应用于中高电压、大电流、适中功率的电子应用，包括但不限于：

电源开关： 适用于中高电压电源开关电路。

电源逆变器： 用于中高电压电源逆变器的输出控制。

功率放大器： 适用于功率放大器电路的输出控制。

安全与可靠性：

MOS管SL11N65CD经过严格的质量控制和测试，确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。

散热设计建议：

由于中高电压和大电流特性，建议在设计中考虑有效的散热措施，以确保MOS管工作在合适的温度范围内。

总结：

MOS管SL11N65CD以其中高电压、大电流和适中功率的特性，为中高压电子系统提供了可靠的解决方案。在需要中高电压承受能力和适中功率特性的场景下，SL11N65CD是一个值得考虑的选择。